| グローバルなスーパー・ジャンクションMOSFET市場は、2023年に32億米ドルに達し、2032年には88億米ドルに成長するとIMARC Groupは予測しています。この期間の年間平均成長率（CAGR）は11.4%と見込まれています。スーパー・ジャンクションMOSFETは、高電圧および高周波用途向けの新しい技術で、様々なパワー半導体コンポーネントを含み、効率性や信頼性が求められる電子機器に広く使用されています。これにより、従来のプレーナー型シリコンMOSFETと比較して、導通損失やスイッチング損失が大幅に低減されています。 市場成長の主な要因は、エネルギー効率の高い電気システムへの需要の高まりや、自動車用電子部品での採用拡大です。特に、自動車用バッテリーにこの技術を採用することで、燃費向上や車内のスペース拡大、快適性の向上が期待されます。また、電源アダプターや電源の小型化の進展も市場に好影響を与えています。さらに、第2世代のスーパー・ジャンクションMOSFETの開発や再生可能エネルギー資源の利用拡大、研究開発活動の進展なども市場成長を促進するとされています。 市場は、種類、技術、材料、用途別に分類されており、種類別には高耐圧と低耐圧のスーパー・ジャンクションMOSFET、技術別には従来型パワーMOSFET、マルチプルエピタキシャル技術、ディープトレンチ技術、材料別には基板材料、遷移層/酸化膜、電極材料などがあります。用途別には照明用電源や電源、ディスプレイデバイスなどが含まれています。 市場競争においては、主要企業としてAlpha and Omega Semiconductor、Fuji Electric Co. Ltd.、IceMOS Technology Ltd.、Infineon Technologies AG、NXP Semiconductors、On Semiconductor Corporation、Rohm Co. Ltd.、STMicroelectronics、Toshiba Corporation、Vishay Intertechnology Inc.などが挙げられています。これらの企業の競合状況と市場動向についても詳細に分析されています。 本レポートは、スーパー・ジャンクションMOSFET市場の包括的な分析を提供し、2024年から2032年までの予測を世界、地域、国レベルで行っています。市場の動向や技術的進歩を反映した情報が盛り込まれています。 |
市場規模
グローバルなスーパー・ジャンクションMOSFET市場の規模は、2023年に32億米ドルに達しました。IMARC Groupは、今後、2032年までに市場規模が88億米ドルに達し、2024年から2032年の年間平均成長率（CAGR）は11.4%になると予測しています。
スーパー・ジャンクション型金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）は、高電圧および高周波用途向けの新しい技術であり、さまざまなパワー半導体コンポーネントを指します。 これらは、マルチエピタキシャル成長技術とディープトレンチ技術を用いて製造され、高い電力密度とシステム信頼性および効率性を必要とする電子機器の製造に広く使用されています。 これらの電子機器には、サーバー、コンピューティングデバイス、産業用電源コンポーネント、ソーラー 従来使用されていたプレーナー型シリコンMOSFETと比較すると、スーパー・ジャンクションMOSFETは、導通損失とスイッチング損失が大幅に低減されています。 また、スーパー・ジャンクションMOSFETは、電力損失を抑制するために、住宅や商業施設におけるグリーン電力管理システムの開発にも利用されています。
エネルギー効率の高い電気システムの需要の高まりは、市場成長の主要な推進要因のひとつです。さらに、自動車用電子部品の製造における製品採用が拡大していることも、市場成長を後押ししています。自動車用バッテリーにスーパー・ジャンクションMOSFETを搭載することで、燃費の向上、車内スペースの拡大、乗客の快適性の向上を実現できます。これに伴い、電源アダプターや電源の小型化も製品需要に好影響を与えています。これに加えて、伝導損失を最小限に抑え、軽負荷時のワット損失を抑制し、逆回復を改善した第2世代のスーパー・ジャンクションMOSFETの開発など、さまざまな技術的進歩も市場に明るい見通しをもたらしています。再生可能エネルギー資源に基づく電源の利用拡大や広範な研究開発（R&D）活動など、その他の要因も市場をさらに牽引すると予測されています。
主な市場区分：
IMARCグループは、世界のスーパージャンクションMOSFET市場レポートの各サブセグメントにおける主要なトレンドの分析を提供しています。また、2024年から2032年までの世界、地域、国レベルでの予測も行っています。当社のレポートでは、種類、技術、材料、用途に基づいて市場を分類しています。
種類別内訳：
高耐圧スーパー・ジャンクションMOSFET
低耐圧スーパー・ジャンクションMOSFET
技術別内訳：
従来型パワーMOSFET
マルチプルエピタキシャル技術
ディープトレンチ技術
材料別内訳：
基板材料
遷移層/酸化膜
電極材料
その他
用途別内訳：
照明用電源
電源
ディスプレイデバイス
その他
北米
米国
カナダ
アジア太平洋地域
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
英国
イタリア
スペイン
ロシア
その他
ラテンアメリカ
ブラジル
メキシコ
その他
中東およびアフリカ
競合状況
本レポートでは、 Alpha and Omega Semiconductor, Fuji Electric Co. Ltd., IceMOS Technology Ltd., Infineon Technologies AG, NXP Semiconductors, On Semiconductor Corporation, Rohm Co Ltd., STMicroelectronics, Toshiba Corporation, Vishay Intertechnology Incなどの主要企業を挙げ、市場の競合状況についても分析しています。
【目次】
1 序文
2 範囲と方法論
2.1 本調査の目的
2.2 利害関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次ソース
2.3.2 二次ソース
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主な業界動向
5 世界スーパー・ジャンクションMOSFET市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19の影響
5.4 市場予測
6 種類別市場内訳
6.1 高電圧スーパー・ジャンクションMOSFET
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 低電圧スーパー・ジャンクションMOSFET
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
7 技術別市場規模推移
7.1 従来型パワーMOSFET
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 マルチプル・エピタキシー技術
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 ディープトレンチ技術
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 材料別市場規模推移
8.1 基板材料
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 遷移層/酸化膜
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 電極材料
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 その他
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
9 用途別市場規模推移
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