| 世界のパワー半導体市場は、2023年に431億米ドルに達し、2032年までには587億米ドルに成長すると予測されています。年間平均成長率(CAGR)は3.4%と見込まれます。パワー半導体は、エネルギー変換の基本的な構成要素であり、シリコンカーバイド(SiC)、ゲルマニウム、窒化ガリウム(GaN)を使用して製造されています。これらは、通信、モーションコントロール、電気駆動制御など、多岐にわたる用途で利用されています。 市場成長の主要因として、急速に拡大する自動車産業が挙げられます。特に、電気自動車(EV)やハイブリッド車におけるパワー半導体の採用が進み、コンバーターの効率性向上やバッテリー管理システムの強化が求められています。また、民生用電子機器の軽量化や小型化、再生可能エネルギーの需要増加、政府の電力効率向上に向けた取り組みも市場成長を後押ししています。 市場は、部品、材料、最終用途産業ごとに分類されています。部品別には、ディスクリート、モジュール、パワー集積回路に分けられ、材料別には、シリコン/ゲルマニウム、シリコンカーバイド(SiC)、窒化ガリウム(GaN)が含まれます。用途別には、自動車、家電、産業用、電力・エネルギー、IT・通信、軍事・航空宇宙などがあり、地域別には北米、アジア太平洋、ヨーロッパ、中南米、中東・アフリカに分かれています。 競合状況については、ABB、Broadcom、富士電機、日立製作所、インフィニオンテクノロジーズなどの主要企業が存在し、これらの企業のプロフィールも調査されています。市場のトレンドや予測については、各サブセグメントにおいて詳細な分析が行われ、今後の展望が示されています。 |

市場規模
世界のパワー半導体市場規模は2023年に431億米ドルに達しました。IMARC Groupは、今後、2032年までに市場規模が587億米ドルに達し、2024年から2032年の年間平均成長率(CAGR)は3.4%になると予測しています。
パワー半導体は、さまざまな段階でエネルギーを別の形態に変換する、現代の電力電子回路機器の基本的な構成要素です。 パワー半導体は、シリコンカーバイド(SiC)、ゲルマニウム、窒化ガリウム(GaN)を用いて製造されています。 これらのデバイスは、ワイヤレス通信、モーションコントロール、コンピュータシステム、電気駆動の高度制御、アンテナ、ブロードバンドワイヤレス技術、衛星システムなど、幅広い用途で使用されています。パワー半導体は、電気製品、機械、システムに欠かせない部品であり、大きな電圧や電流を損傷なく変換する必要がある用途に主に使用されています。パワー半導体は、電気機械変換システムと比較して、より高速な動的応答、より低い設置コスト、および熱放散の低減を実現します。そのため、自動車、軍事、航空宇宙、家電、情報技術、通信など、さまざまな業界で広く使用されています。
パワー半導体市場の動向:
世界的な自動車産業の急速な拡大は、市場成長の見通しを明るくする主な要因のひとつです。パワー半導体は、ステアリングシステム、ブレーキ、燃料供給、安全システムなどの自動車部品に広く搭載されている電子部品や集積チップです。これに伴い、コンバーターの効率性向上やバッテリー管理システム、パワーエレクトロニクススイッチの強化を目的とした電気自動車、プラグイン電気自動車、ハイブリッド電気自動車(EV/HEV)への製品採用が市場成長を後押ししています。さらに、車両の軽量化、燃費向上、排出ガス削減を支援するx-by-wireまたはドライブ・バイ・ワイヤ技術の利用など、さまざまな技術的進歩が市場成長の原動力となっています。さらに、スマートフォン、タブレット、スマートウォッチ、フィットネスバンド、通信機器などの軽量で小型かつ携帯可能な民生用電子機器への製品利用の広まりは、市場成長に好影響を与えています。再生可能エネルギー源への需要の高まりや、電力効率の高い機器を促進するためのさまざまな政府主導の取り組みの実施など、その他の要因も市場をさらに牽引すると予測されています。
主な市場区分:
IMARCグループは、世界のパワー半導体市場レポートの各サブセグメントにおける主な傾向の分析を提供しており、2024年から2032年までの世界、地域、国レベルでの予測も行っています。当社のレポートでは、部品、材料、最終用途産業に基づいて市場を分類しています。
部品別内訳:
ディスクリート
モジュール
パワー集積回路
材料別内訳:
シリコン/ゲルマニウム
シリコンカーバイド(SiC
窒化ガリウム(GaN
用途別内訳:
自動車
家電
産業用
電力およびエネルギー
ITおよび通信
軍事および航空宇宙
その他
地域別内訳:
北米
米国
カナダ
アジア太平洋地域
中国
日本
インド
韓国
オーストラリア
インドネシア
その他
ヨーロッパ
ドイツ
フランス
英国
イタリア
スペイン
ロシア
その他
中南米
ブラジル
メキシコ
その他
中東およびアフリカ
競合状況
ABB Ltd., Broadcom Inc., Fuji Electric Co. Ltd., Hitachi Ltd., Infineon Technologies AG, Microchip Technology Inc., Mitsubishi Electric Corporation, NXP Semiconductor Inc., Onsemi, Renesas Electronics Corporation, ROHM Co. Ltd., STMicroelectronics, Texas Instruments Incorporated, Toshiba Corporation, Vishay Intertechnology Inc.などの主要企業のプロフィールとともに、業界の競合状況も調査されました。
【目次】

1 はじめに
2 範囲と方法論
2.1 本調査の目的
2.2 利害関係者
2.3 データソース
2.3.1 一次ソース
2.3.2 二次ソース
2.4 市場推定
2.4.1 ボトムアップアプローチ
2.4.2 トップダウンアプローチ
2.5 予測方法論
3 エグゼクティブサマリー
4 はじめに
4.1 概要
4.2 主な業界動向
5 世界パワー半導体市場
5.1 市場概要
5.2 市場実績
5.3 COVID-19 の影響
5.4 市場予測
6 部品別市場内訳
6.1 ディスクリート
6.1.1 市場動向
6.1.2 市場予測
6.2 モジュール
6.2.1 市場動向
6.2.2 市場予測
6.3 パワー集積回路
6.3.1 市場動向
6.3.2 市場予測
7 材料別市場内訳
7.1 シリコン/ゲルマニウム
7.1.1 市場動向
7.1.2 市場予測
7.2 シリコンカーバイド(SiC
7.2.1 市場動向
7.2.2 市場予測
7.3 窒化ガリウム(GaN)
7.3.1 市場動向
7.3.2 市場予測
8 用途別市場規模推移
8.1 自動車
8.1.1 市場動向
8.1.2 市場予測
8.2 民生用電子機器
8.2.1 市場動向
8.2.2 市場予測
8.3 産業用
8.3.1 市場動向
8.3.2 市場予測
8.4 電力・エネルギー
8.4.1 市場動向
8.4.2 市場予測
8.5 IT・通信
8.5.1 市場動向
8.5.2 市場予測
8.6 軍事・航空宇宙
8.6.1 市場動向
8.6.2 市場予測
8.7 その他
8.7.1 市場動向
8.7.2 市場予測
9 地域別市場規模
…
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資料コード:SR112024A5200

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