世界のSiCウェーハ研磨市場は、予測期間中に37.5%のcagrで成長し、2023年の推定4億米ドルから2028年には22億米ドルになると予測されています。パワーエレクトロニクスはシックウェーハ研磨市場の主要用途の1つであり、市場成長機会を提供します。製品タイプ別研磨製品SiCウェーハ研磨遠心分離機セグメントは、アジア太平洋地域などの新興地域で高い成長率を記録しています。
市場動向
促進要因 先端研磨消耗品の開発
先進的な研磨消耗品の進歩は、SiCウェーハ研磨市場の成長に大きな影響を与えます。研磨消耗品とは、ウェーハ研磨工程で使用されるもので、研磨スラリー、パッド、薬品などが含まれます。これらの消耗品の開発により、SiCウェーハ研磨市場には様々な利点がもたらされ、その成長と効率を促進しています。最新の研磨消耗品の主な利点の1つは、ウェーハ研磨プロセスにおいてより優れたレベルの精度と均一性を生み出す能力です。SiCウェーハがより薄く、より複雑な設計になるにつれて、精密で一貫性のある研磨に対する要求は高まっています。高度な消耗品は、材料除去率、表面粗さ、および平坦化をより制御できるようにするもので、その結果、ウェーハ全体の品質が向上します。これはSiCウェーハにとって極めて重要なことです。SiCウェーハのユニークな特性は、その望ましい特性を維持するために細心の研磨を必要とするからです。さらに、最新の琢磨消耗品は、SiCウェーハの琢磨プロセスにおける生産性と費用対効果を向上させます。これらの消耗品は、研磨効率を改善し、研磨時間を短縮し、材料の無駄を削減するように設計されています。
制約 長い研磨サイクル時間
SiCウェーハ研磨業界における長い研磨サイクル時間は、市場成長に大きな影響を与え、さらには市場成長の妨げになる可能性があります。SiCウェーハは、高温耐性、高電力密度、低電力損失などの優れた品質により、パワーエレクトロニクス、自動車、通信、航空宇宙など、さまざまな産業で広く利用されています。しかし、SiCウェーハの製造に使用される研磨工程は、非常に重要で時間のかかる段階です。研磨サイクルタイムの増加は、SiCウェーハの生産能力とスループットに直接影響します。研磨工程に時間がかかるため、全体的な製造効率に影響し、完成ウェーハの生産速度が低下します。その結果、特に需要の多い業界では、供給不足が生じたり、顧客の要望への対応が遅れたりする可能性があります。SiCウェーハ研磨市場は、研磨サイクルタイムの延長を含む様々な要因により、成長が鈍化しています。手始めに、メーカーが事業を拡大し、SiCウェーハの需要増に対応する能力は、生産能力の制限によって妨げられています。
機会： 研磨技術の進歩
研磨技術の進歩は、SiCウェーハ研磨市場に大きな機会をもたらします。SiCウェーハの需要が増加するにつれて、より効率的で精密、かつ費用対効果の高い研磨プロセスが求められています。最新の研磨技術の進歩は、より良いプロセス制御、より高い表面品質、より高い生産性を可能にします。このような改善を受け入れ、最先端のソリューションを提供するSiCウェーハ研磨市場の能力にチャンスがあります。同市場は、斬新な研磨技術を採用し洗練させることで、SiCウェーハメーカーとエンドユーザーの変化するニーズに対応することができます。表面の欠陥、均質性、および寸法制御はすべて、高度な研磨プロセスによって対処することができ、高品質の研磨SiCウェーハの製造を保証します。研磨技術の改善には、改良された化学的機械的平坦化（CMP）技術、革新的なスラリー、最適化された研磨パッドが含まれます。これらの方法は、より高い材料除去率、より低い表面粗さ、平坦性の向上に寄与します。研磨サービスプロバイダーや装置メーカーは、これらの開発を自社の製品に取り入れることで、複数の業界にわたる高性能SiCウェーハの需要に対応できる可能性があります。
課題： 激しい競争と市場統合
SiCウェーハ研磨市場は、激しい競争と市場統合による大きな課題に直面しています。SiCウェーハの需要が拡大するにつれ、業界は競争が激化し、複数の企業が市場シェアを争っています。このような競争は価格圧力を高め、利益率を低下させ、SiCウェーハ研磨企業の収益性と持続可能性に影響を与えます。市場の統合がさらに困難に拍車をかけます。合併、買収、戦略的提携により、市場は少数の企業によって高度に集中されます。このような統合は、新規参入企業にとって参入障壁となり、市場の多様性と革新性を低下させる可能性があります。中小企業は市場参入に苦戦し、既存の顧客関係やスケールメリットを持つ老舗企業との競争に打ち勝てない可能性があります。激しい競争と市場統合は、SiCウェーハ研磨市場の拡大に様々な課題をもたらします。まず、小規模な企業は価格とリソースの面で競争に勝つことが難しく、市場シェアを獲得する可能性が制限される可能性があります。これは技術革新を妨げ、市場の製品とサービスの多様性を制限する可能性があります。
業界で知名度が高く、財務状況が安定しているSICウェーハ研磨のメーカー。これらの企業は、業界での長い歴史、幅広い製品群、効果的な国際的販売・マーケティングネットワークを持っています。この市場で著名な企業は、Kemet International（英国）、Entegris（米国）、Iljin Diamond（米国）、富士見コーポレーション（日本）、Saint-Gobain（米国）、JSR Corporation（日本）、Engis Corporation（米国）、Ferro Corporation（米国）、3M（米国）、SKC（韓国）、DuPont Incorporated（米国）、Fujifilm Holding America Corporation（米国）など。
製品タイプ別では、ポリッシングパッド部門が予測期間中最大の市場になる見込み。
製品タイプに基づくと、市場の研磨パッドタイプでは、シックウェーハ琢磨遠心分離機メーカーは、さまざまな業界にわたってより多くの顧客ベースをターゲットにすることができます。材料に特化した設計、精度と均一性能力、効率的な材料除去特性、化学スラリーとの互換性、継続的な技術革新、SiCウェーハの用途拡大による需要の増加により、研磨パッドがSiCウェーハ研磨市場を支配しています。これらの特徴が相まって、研磨パッドは、高性能SiC半導体デバイスに要求される表面平滑性と平坦性を達成するための好ましい方法となっています。
プロセス別では、化学機械研磨セグメントが市場全体で最大のシェアを占めています。
SiCウェーハから欠陥や汚染物質を除去する効果があるため、CMPは信頼性が高く高品質なデバイスを製造するための一般的な方法です。このような利点の結果、CMPはSiCウェーハ研磨市場で最も急速にシェアを伸ばしており、最適なウェーハ表面品質と生産性を求める半導体メーカーにとって最適な技術として浮上しています。
予測期間中、アジア太平洋地域が世界市場で最大のシェアを占める見込みです。
アジア太平洋地域は、人口増加と可処分所得の増加により、スマートフォン、タブレット、その他の電子機器への需要が高まっており、大規模な民生用電子機器市場の本拠地となっています。SiCベースのパワーデバイスは、効率向上とバッテリ寿命の延長のために、これらの民生用電子機器にますます組み込まれるようになっており、研磨SiCウェーハのニーズをさらに促進しています。
主要企業
SiCウェーハ研磨市場は、幅広い地域で事業を展開する少数の主要プレーヤーによって支配されています。SiCウェーハ研磨市場の主要プレーヤーには、ケメット・インターナショナル（英国）、エンテグリス（米国）、イルジン・ダイヤモンド（米国）、富士見コーポレーション（日本）、サンゴバン（米国）、JSRコーポレーション（日本）、エンギスコーポレーション（米国）、フェロ・コーポレーション（米国）、3M（米国）、SKC（韓国）、デュポン・インコーポレイテッド（米国）、フジフィルム・ホールディング・アメリカ・コーポレーション（米国）などがあります。ここ数年、各社はシックウェーハ研磨市場でより大きなシェアを獲得するために、買収、新製品投入、提携、契約、協定などの成長戦略を採用しています。
この調査レポートは、世界のSicウェーハ研磨市場を製品タイプ、プロセス、用途、地域に基づいて分類しています。
プロセスタイプ別に分類すると、Sicウェーハ研磨市場は以下のようになります：
機械研磨
化学機械研磨 (CMP)
電解研磨
化学研磨
プラズマアシスト研磨
その他
製品タイプ別では、Sicウェーハ研磨市場は以下のように区分されます：
研磨パウダー
研磨パッド
ダイヤモンドスラリー
コロイダルシリカ懸濁液
その他
用途別では、Sicウェーハ研磨市場は以下のように区分されます：
パワーエレクトロニクス
発光ダイオード（LED）
センサーと検出器
RFおよびマイクロ波デバイス
その他
地域別では、Sicウェーハ研磨市場は以下のように区分されています：
北米
アジア太平洋
欧州
中東・アフリカ
南米
2019年12月 エンテグリスがCABOT MICROELECTRONICSの買収を完了、買収によりキャボット・マイクロエレクトロニクスは半導体業界の顧客にとってより重要な存在となり、生産工程のより多くの部分に触れることになります。
2021年11月 SKCが韓国開発銀行（KDB）から1兆5,000億ウォンを借り入れ、二次電池と環境配慮型材料事業を拡大
2021年7月 富士フイルム、米国電子材料事業への3億5,000万ドルの投資を発表；米国での投資計画は、富士フイルムの幅広い半導体材料と化学品、特に化学機械研磨（CMP）スラリーやフォトリソグラフィー関連高純度材料の開発と製造を支援。
2023年7月、SKCは半導体テストソリューションプロバイダーのISCの買収を決定。
【目次】
1 はじめに （ページ – 18）
1.1 調査目的
1.2 市場の定義
1.3 対象と除外
1.4 市場範囲
1.4.1 対象市場
1.4.2 対象地域
1.4.3 考慮年数
1.5 通貨
1.6 制限事項
1.7 利害関係者
2 調査方法 (ページ – 22)
2.1 調査データ
図1 シックウェーハ研磨市場：調査デザイン
2.1.1 二次データ
2.1.1.1 二次ソースからの主要データ
2.1.2 一次データ
2.1.2.1 一次ソースからの主要データ
図2 主要業界インサイト
2.1.2.2 一次インタビューの内訳
図3 一次インタビューの内訳：企業タイプ別、呼称別、地域別
2.2 データの三角測量
図4 データ三角測量
2.3 市場規模の推定
2.3.1 ボトムアップアプローチ
図5 市場規模推定手法：ボトムアップアプローチ
2.3.2 トップダウンアプローチ
図6 市場規模推定手法：トップダウンアプローチ
2.3.3 需要サイド
図7 需要サイド分析
図8 シックウェーハ研磨の需要を分析・評価するために考慮した指標
2.3.3.1 調査の前提
2.3.4 フォーキャスト
3 事業概要 （ページ – 31）
表1 シックウェーハ琢磨市場：スナップショット
図9：予測期間中、ダイヤモンドスラリー部門が最大シェアを占める
図10：予測期間中に最大のシェアを占めるのはパワーエレクトロニクス分野
図11 予測期間中、ケミカルメカニカルポリッシング（CPP）プロセスが最大シェアを占める
図12 2023年にシックウェーハ研磨市場をリードするのはアジア太平洋地域
4 PREMIUM INSIGHTS (ページ – 35)
4.1 シックウェーハ研磨市場におけるプレーヤーの魅力的な機会
図13 持続可能技術に対する意識の高まりが予測期間中の市場を牽引
4.2 シックウェーハ研磨市場：アジア太平洋地域、用途別、国別
図14 2022年には化学と中国が大きなシェアを占める
4.3 シックウェーハ琢磨市場：製品別
図15 2028年までにダイヤモンドスラリー部門が最大シェアを占める
4.4 シックウェーハ琢磨市場：用途別
図16 パワーエレクトロニクス分野が2028年に最大シェアを占める
4.5 シックウェーハ琢磨市場：プロセス別
図17 化学機械研磨分野が2028年に最大シェアを占める
4.6 シックウェーハ研磨市場：地域別分析
図18 2023年にアジア太平洋地域がSICウェーハ研磨市場で最大シェアを占める
5 市場概観（ページ – 39）
5.1 はじめに
5.2 市場ダイナミクス
図19 SICウェーハ研磨市場における促進要因、阻害要因、機会、課題
5.2.1 推進要因
5.2.1.1 民生用電子機器の消費拡大
5.2.1.2 SiCベースのパワーデバイスの需要拡大
5.2.1.3 高度な研磨消耗品の開発
5.2.1.4 無線周波数（RF）デバイスにおけるSiCウェーハの採用
5.2.2 制約
5.2.2.1 表面欠陥と汚染
5.2.2.2 長い研磨サイクル時間
5.2.2.3 限られたサプライヤーベース
5.2.3 機会
5.2.3.1 SiC研究開発への投資の増加
5.2.3.2 新しいアプリケーションの出現
5.2.3.3 研磨技術の進歩
5.2.4 課題
5.2.4.1 製造に関する複雑さ
5.2.4.2 激しい競争と市場統合
5.3 ポーターの5つの力分析
表2 シックウェーハ研磨市場：ポーターの5つの力分析
図20 ポーターの5つの力分析：SICウェーハポリッシング市場
5.3.1 新規参入の脅威
5.3.2 代替品の脅威
5.3.3 供給者の交渉力
5.3.4 買い手の交渉力
5.3.5 競争相手の強さ
6 業界の動向（ページ数 – 49）
6.1 景気後退の影響
6.2 バリューチェーン分析
図21 シックウェーハ研磨市場のバリューチェーン
6.2.1 原材料サプライヤー
6.2.2 メーカー
6.2.3 販売業者
6.2.4 エンドユーザー
6.3 マクロ経済指標
6.3.1 主要国のGDP推移と予測
表3 主要国別GDP推移と予測（2019-2027年）（百万米ドル
6.4 シックウェーハ研磨市場の規制
6.4.1 規制機関、政府機関、その他の団体
表4 北米：規制機関、政府機関、その他の組織
表5 欧州：規制機関、政府機関、その他の団体
表6 アジア太平洋地域：規制機関、政府機関、その他の団体
6.5 貿易分析
6.5.1 輸出シナリオ
図22 HSコード381800の主要国別輸出シナリオ（2019～2022年）
6.5.2 輸入シナリオ
図23 HSコード381800の輸入シナリオ（主要国別）（2019～2022年
6.6 特許分析
6.6.1 導入
6.6.2 方法論
6.6.2.1 文書タイプ
表 7 過去 10 年における付与特許の割合は全体の 35
図 24 過去 10 年間の公開動向
6.6.3 インサイト
6.6.4 特許の法的地位
図25 シックウェーハ研磨市場における特許の法的地位
6.6.5 管轄区域分析
図26 文書別上位法域
6.6.6 上位出願人の分析
図27 台湾半導体製造股份有限公司は2017年から2022年の間に最多の患者数を登録
6.7 顧客のビジネスに影響を与えるトレンド／混乱
6.7.1 シックウェーハ研磨市場の収益シフトと新たな収益ポケット
図28 SICウェーハ研磨プロバイダーの収益シフト
6.8 エコシステム／市場マップ
表8 GDP推移と予測（主要国別、2019年～2027年
図29 シックウェーハ研磨市場：エコシステム
6.9 技術分析
6.9.1 化学的機械的平坦化（CMP）技術
表9 ケミカルメカニカルプレーナライゼーション（CMP）技術の利点
6.9.2 固定砥粒研磨（FAP）
表 10 固定砥粒研磨（Fap）技術の利点
6.10 主要関係者と購買基準
6.10.1 購入プロセスにおける主要関係者
図30 上位4用途の購入プロセスにおける関係者の影響力
表11 上位4用途の購買プロセスにおける機関投資家の影響力
6.10.2 購入基準
図31 エンドユーザー産業における主な購買基準
表12 エンドユーザー業界の主な購買基準
…
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